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IS43LR16800F-6BLI中文资料2M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS43LR16800F-6BLI |
参数属性 | IS43LR16800F-6BLI 封装/外壳为60-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA |
功能描述 | 2M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM |
封装外壳 | 60-TFBGA |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 18:11:00 |
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技术参数
- 产品编号:
IS43LR16800F-6BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:
128Mb(8M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-TFBGA(8x10)
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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