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IS43LR32200C-6BLI中文资料动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS43LR32200C-6BLI

参数属性

IS43LR32200C-6BLI 封装/外壳为90-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

功能描述

动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS

封装外壳

90-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 8:14:00

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技术参数

  • 产品编号:

    IS43LR32200C-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动 LPDDR

  • 存储容量:

    64Mb(2M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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