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IS43R16800E中文资料DDR SDRAM数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS43R16800E

参数属性

IS43R16800E 封装/外壳为66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II

功能描述

DDR SDRAM

封装外壳

66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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IS43R16800E规格书详情

描述 Description

·Single supply voltage of 2.5V or 2.6V
·Standard double-data rate clock timing
·SSTL_2 compatible inputs
·Four internal banks with bank controls
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 2, 4, or 8
·Programmable CAS Latency of 2, 2.5 or 3
·Auto-Refresh Mode and Self-Refresh Mode
·Long-Term Support

技术参数

  • 产品编号:

    IS43R16800E-5TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)

  • 供应商器件封装:

    66-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II

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