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IS43R16800E中文资料DDR SDRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS43R16800E |
参数属性 | IS43R16800E 封装/外壳为66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
功能描述 | DDR SDRAM |
封装外壳 | 66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 23:01:00 |
人工找货 | IS43R16800E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IS43R16800E规格书详情
描述 Description
·Single supply voltage of 2.5V or 2.6V
·Standard double-data rate clock timing
·SSTL_2 compatible inputs
·Four internal banks with bank controls
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 2, 4, or 8
·Programmable CAS Latency of 2, 2.5 or 3
·Auto-Refresh Mode and Self-Refresh Mode
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS43R16800E-5TLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR
- 存储容量:
128Mb(8M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)
- 供应商器件封装:
66-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
5374 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TSOP6610.2mm |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
2016+ |
TSOP |
3000 |
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询价 | ||
ISSI |
24+ |
TSOP66 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ISSI |
24+ |
TSOP66 |
880000 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
TSOP |
7000 |
询价 | |||
ISSI |
24+ |
TSOP66 |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ISSI |
2023+ |
SMD |
30 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 |