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IS45S16100H数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF
IS45S16100H规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS45S16100H-7BLA1-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM
- 存储容量:
16Mb(1M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-TFBGA(6.4x10.1)
- 描述:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TSOP5010.0mm |
7350 |
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ISSI |
21+ |
BGA |
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两年内 |
NA |
17159 |
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ISSI |
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TSOP50 |
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ISSI |
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BGA60 |
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ISSI, |
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ISSI |
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ISSI |
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7800 |
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ISSI |
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BGA |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
23+/24+ |
60-TFBGA |
8600 |
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