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IS43TR82560B数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
IS43TR82560B规格书详情
描述 Description
·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support
技术参数
- 产品编号：
IS43TR82560B-125KBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR3
- 存储容量：
2Gb（256M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
78-TFBGA
- 供应商器件封装：
78-TWBGA（8x10.5）
- 描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
3996 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TWBGA78(8x10.5) |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
21+ |
FBGA78 |
1975 |
询价 | |||
ISSI |
1922+ |
BGA |
6852 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ISSI |
23+ |
BGA |
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ISSI |
21+ |
BGA |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
3000 |
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ISSI |
22+ |
BGA |
3800 |
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