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IS43TR85120AL中文资料1.35V DDR3L SDRAM数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS43TR85120AL

参数属性

IS43TR85120AL 封装/外壳为78-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

功能描述

1.35V DDR3L SDRAM

封装外壳

78-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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IS43TR85120AL规格书详情

描述 Description

·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support

技术参数

  • 产品编号:

    IS43TR85120AL-107MBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3L

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    78-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    78-TWBGA(9x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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