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IS43LR32800H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mobile DDR SDRAM ·Double-data rate\n·Four internal banks with bank controls\n·Programmable Burst Length and CAS Latency\n·Power Savings with:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compenstate Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down\n·Long term support\n	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43LR32800H-6BLI	文件：300 bytes Page：1 Pages	动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43LR32800H-6BLI-TR	文件：300 bytes Page：1 Pages	动态随机存取存储器 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43LR32800F	文件：2.15956 Mbytes Page：47 Pages	2M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM 文件：2.15956 Mbytes 页数：47 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43LR32800G	文件：2.17224 Mbytes Page：47 Pages	2M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM 文件：2.17224 Mbytes 页数：47 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS43LR32800H供应商更新时间2025-10-31 11:01:00