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IS42S81600F中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS42S81600F |
| 参数属性 | IS42S81600F 封装/外壳为54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
| 功能描述 | SDR SDRAM |
| 封装外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | IS42S81600F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS42S81600F规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS42S81600F-6TLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
128Mb（16M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
54-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TSOPII54 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
NA/ |
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ISSI |
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TSOP54 |
6 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ISSI |
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TSOP54 |
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ISSI |
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TSOP54 |
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ISSI/芯成 |
2450+ |
TSOP54 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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ISSI |
1604+ |
TSOP54 |
15 |
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ISSI |
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TSOP54 |
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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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ISSI |
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TSOP54 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
TSOP54 |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 |
