16M x 32 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件：885.4 Kbytes 页数：60 Pages

ISSI

矽成半导体

16M x 32 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

16M x 32 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

SDR SDRAM

·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write

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矽成半导体

动态随机存储器(DRAM)

Integrated Silicon Solution

Package：90-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc