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IS42S32200E-6BLI	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS42S32200E-6BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S32200E-6B	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200E-6BI	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS42S32200E-6TL	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200E-6TLI	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS42S32200E-6BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
64Mb（2M x 32）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
90-TFBGA
供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

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