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IS43DR16640B-3DBI	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM FEATURES Clockfrequencyupto400MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 4‐bitprefetcharchitecture ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 WriteLatency=ReadLatency‐1 ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS43DR16640B-3DBI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-3DBI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-3DBL	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM FEATURES Clockfrequencyupto400MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 4‐bitprefetcharchitecture ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 WriteLatency=ReadLatency‐1 ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS43DR16640B-3DBLI	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM FEATURES Clockfrequencyupto400MHz 8internalbanksforconcurrentoperation 4‐bitprefetcharchitecture ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 WriteLatency=ReadLatency‐1 ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS43DR16640B-3DBI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR2
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
84-TFBGA
供应商器件封装：
84-TWBGA（8x12.5）
描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

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