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IS43TR16256AL-125KBL

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS43TR16256AL-125KBL

包装:托盘 封装/外壳:96-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR

包装:托盘 封装/外壳:96-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

IS43TR16256AL-125KBL-TR

包装:托盘 封装/外壳:96-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

产品属性

  • 产品编号:

    IS43TR16256AL-125KBL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3L

  • 存储容量:

    4Gb(256M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    96-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

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更多IS43TR16256AL-125KBL供应商 更新时间2024-4-28 11:04:00