128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 12, 15 ns • Low active power: 160 mW (typical) • Low standby power: 1000 μW (typical) CMOS standby • Output Enable (OE) and two Chip Enable (CE1 and CE2) inputs for ease in applications • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compati

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ISSI

矽成半导体

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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矽成半导体

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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矽成半导体

Package：32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc