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IS43TR85120A-125KBL	文件：3.94166 Mbytes Page：88 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS43TR85120A-125KBL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：78-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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产品属性

产品编号：
IS43TR85120A-125KBL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR3
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
工作温度：
0°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
78-TFBGA
供应商器件封装：
78-TWBGA（9x10.5）
描述：
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

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