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IS25LP256D-RLLA3	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-RLLE	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-RMLA3	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-RMLA3-TR	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-RMLE	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-RWLA3	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-RWLE	文件：2.36853 Mbytes Page：174 Pages	SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS25LP256D-JLLE-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON	ETC	ETC
IS25LP256D-JMLE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC	ETC	ETC
IS25LP256D-JMLE-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC	ETC	ETC

技术参数

存储容量：
256Mbit
工作电压：
2.3V~3.6V
工作温度：
-40℃~+105℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	IS25LP256D	ISSI	23+	BGA	4500	ISSI存储芯片在售	询价
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