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IS25LP256D

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

文件:2.36853 Mbytes 页数:174 Pages

ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EGLA3

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EGLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EHLA3

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EHLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EJLA3

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EJLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-ELLA3

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-ELLE

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

IS25LP256D-EMLA3

SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

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ISSI

矽成半导体

技术参数

  • 存储容量:

    256Mbit

  • 工作电压:

    2.3V~3.6V

  • 工作温度:

    -40℃~+105℃

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更多IS25LP256D供应商 更新时间2025-10-12 11:01:00