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IRS21952S中文资料电平移位门极驱动数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRS21952S

参数属性

IRS21952S 封装/外壳为16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为散装;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC

功能描述

电平移位门极驱动
IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC

封装外壳

16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-12-18 23:01:00

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IRS21952S规格书详情

描述 Description

600 V Half Bridge and Low Side Driver IC with typical 0.5 A source and 0.5 A sink currents in 16 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

特性 Features

·2 low side output channels sharing common ground
·CMOS Schmitt trigger inputs with pull down resistor
·Immune to - Vs spike and tolerant to dVs/dt and dVss/dt
·1 high side output channel
·Under voltage lockout on all channels
·5 V compatible logic level Inputs
·Shoot through prevention logic

简介

IRS21952S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由Infineon制造生产的IRS21952S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IRS21952STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥,低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.6V,3.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    500mA,500mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,25ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC

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