IRS21851S中文资料电平移位门极驱动数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IRS21851S |
参数属性 | IRS21851S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
功能描述 | 电平移位门极驱动 |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:51:00 |
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IRS21851S规格书详情
描述 Description
600 V High Side Driver IC with typical 4 A source and 4 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.
特性 Features
·Gate drive supply range from 10 V to 20 V
·Undervoltage lockout for for VBS and VCC
·3.3 V and 5 V input logic compatible
·Matched propagation delay for all channels
·Tolerant to negative transient voltage
简介
IRS21851S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IRS21851S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRS21851S
- 生产厂家
:Infineon
- Channels
:1.0
- Topology
:High Side (Single)
- Output Current(Sink)
:4.0A
- Output Current(Source)
:4.0A
- Switch Type
:MOS
- Qualification
:Industrial
- Turn On Propagation Delay (max)
:160.0ns (210.0ns)
- Isolation
:Functional levelshift
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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