IRS21856S中文资料电平移位门极驱动数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IRS21856S |
参数属性 | IRS21856S 封装/外壳为14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
功能描述 | 电平移位门极驱动 |
封装外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 13:01:00 |
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IRS21856S规格书详情
描述 Description
600 V High and Low Side Driver IC with typical 0.5 A source and 0.5 A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.
特性 Features
·High side Programmable ramp gate drive
·High side generic gate driver integrated using the same high side output pin
·Low side generic gate driver
·Under voltage lockout for VCC and VBS
·5 V input logic compatible
·Tolerant to negative transient voltage on VS
·Shoot through prevention
简介
IRS21856S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IRS21856S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
IRS21856STRPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,3.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
500mA,500mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
30ns,20ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
14-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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