IRS21867S中文资料电平移位门极驱动数据手册Infineon规格书

描述 Description

600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 4 A 拉电流和 4 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。

特性 Features

• 专为自举操作设计的浮动通道
• 完全运行时的电压高达 600V
• 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
• 低 VCC 操作
• 栅极驱动电源范围：5 V 至 20V
• 双通道欠压锁定
• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
• 双通道的匹配传播延迟
• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
• 输出拉/灌电流能力为 4.0 A(典型)

优势:

简介

IRS21867S属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的IRS21867S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。