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IRS21867S数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

IRS21867S

参数属性

IRS21867S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

电平移位门极驱动
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:11:00

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IRS21867S规格书详情

描述 Description

600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 4 A 拉电流和 4 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。

特性 Features

• 专为自举操作设计的浮动通道
• 完全运行时的电压高达 600V
• 容许负瞬态电压,不受 dV/dt 影响
• 低 VCC 操作
• 栅极驱动电源范围:5 V 至 20V
• 双通道欠压锁定
• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
• 双通道的匹配传播延迟
• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
• 输出拉/灌电流能力为 4.0 A(典型)

优势:

简介

IRS21867S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IRS21867S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRS21867S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred/active and preferred

  • Voltage Class

    :600 V

  • Output Current Source

    :4 A

  • Output Current Sink

    :4 A

  • Channels

    :2

  • Configuration

    :High-side and low-side

  • Qualification

    :Industrial

  • Isolation Type

    :Functional levelshift

  • Switch Type

    :MOSFET

  • Package name

    :SOIC 8N/SOIC 8N

  • UVLO Input Off

    :5.5 V

  • UVLO Output Off

    :5.5 V

  • Turn On Propagation Delay max

    :250 ns

  • Turn On Propagation Delay

    :170 ns

  • Turn Off Propagation Delay max

    :250 ns

  • Turn Off Propagation Delay

    :170 ns

  • Input Vcc min

    :10 V

  • Input Vcc max

    :20 V

  • Output Vbs min

    :10 V

  • Output Vbs max

    :20 V

  • Rise Time max

    :38 ns

  • Rise Time

    :22 ns

  • Fall Time max

    :30 ns

  • Fall Time

    :18 ns

  • UVLO Input On

    :6 V

  • UVLO Output On

    :6 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
SOIC 8N
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
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INFINEON/英飞凌
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IR
23+
SOP8
32732
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IR
17+
SOP8
6200
100%原装正品现货
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Infineon/英飞凌
23+
SOIC-8N
25630
原装正品
询价