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IRS21952SPBF

HIGH SIDE & DUAL LOW SIDE DRIVER IC

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IRF

IRS21952SPBF

HIGH SIDE & DUAL LOW SIDE DRIVER IC

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IRF

IRS21952SPBF_15

HIGH SIDE & DUAL LOW SIDE DRIVER IC

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IRF

IRS21952STRPBF

HIGH SIDE & DUAL LOW SIDE DRIVER IC

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IRF

IRS21952S

电平移位门极驱动

600 V Half Bridge and Low Side Driver IC with typical 0.5 A source and 0.5 A sink currents in 16 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. ·2 low side output channels sharing common ground\n ·CMOS Schmitt trigger inputs with pull down resistor\n ·Immune to - Vs spike and tolerant to dVs/dt and dVss/dt\n ·1 high side output channel\n ·Under voltage lockout on all channels\n ·5 V compatible logic level Inputs\n ·Shoot through preve;

Infineon

英飞凌

IRS21952SPBF

Package:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC

Infineon

英飞凌

IRS21952STRPBF

Package:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRS21952STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥,低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.6V,3.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    500mA,500mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,25ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRS21952S供应商 更新时间2025-12-18 16:00:00