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IRS2127STRPBF

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

INFINEON

英飞凌

ISG2127

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC=60A · Short Circuit Capability · Low Power Loss APPLICATIONS · Power Inverters · SMPS · Battery Chargers

文件:344.79 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IX2127

High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver

Description The IX2127 is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver. High-voltage level-shift circuitry enables this device to operate up to 600V. Clare’s proprietary common-mode design techniques provide stable operation in high dV/dt noise environments. Features • Floati

文件:1.37021 Mbytes 页数:11 Pages

CLARE

Clare, Inc.

IX2127

High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver

文件:1.64069 Mbytes 页数:12 Pages

CLARE

Clare, Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    IRS2127STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    12V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    80ns,40ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRS2127STRPBF供应商 更新时间2026-1-26 12:00:00