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深圳市正纳电子有限公司

7年 留言
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    邓小姐采购原装正品认准正纳电子

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InfineonDIP-8

250

21+

保证原装正品 深圳现货

深圳市华来深电子有限公司

11年 留言
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INFINEONDIP8

12365

23+

进口原装正品,价格优惠,销售一系列芯片

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)PDIP-8

3022

23+

深耕行业12年,可提供技术支持。

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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IRDIP8

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

迈思希姆半导体(江苏)有限公司

5年 留言
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InternationalRectifier8-DIP

11846

1818+

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRS2308PBF

Infineon Technologies8-DIP(0.300,7.62mm)

25336

23+

1+
:¥0.888

英飞凌电源管理芯片-原装正品

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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IRDIP8

9980

23+

原装正品,支持实单

深圳市芯福林电子科技有限公司

2年 留言
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    张女士

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Infineon Technologies8DIP

13880

21+

公司只售原装,支持实单

深圳市冠亿通科技有限公司

5年 留言
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Infine

25000

21+

原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司

10年 留言
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    孙小姐/张先生/李先生进口原装现货可开13%增值税票

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    上海市闵行区万源路2800号

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IRPLCC68

18000

23+

深圳市卓越微芯电子有限公司

10年 留言
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    李小姐 微信13316985496

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5000

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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    肖冠

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Infineon(英飞凌)PDIP8

7350

23+

现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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IRNA/

35

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

讯运(深圳/上海)电子有限公司

10年 留言
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    王小姐(工厂配套负责人)、柯先生/陈先生

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Infineon(英飞凌)PDIP8

499

2021+

深圳市易讯博科技有限公司

4年 留言
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InfineonNA

1285

22+

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深圳市艾宇欣科技有限公司

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    王小姐

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    深圳市福田区梅林街道上梅社区上梅林新村30号403

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InfineonN/A

1285

1931+

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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    深圳市福田区华强北华强北华丽装饰大厦二栋525

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IR8-DIP

8238

23+

深圳市亿顺芯科技有限公司

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    深圳市龙岗区坂田街道马安堂社区环城南路5号坂田国际中心A栋二十一层2110

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InfineonSOIC

57500

2021+

科研单位合格供应商!现货库存

深圳市华斯顿科技有限公司

14年 留言
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    朱先生-余先生-夏小姐-张小姐

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    深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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IRDIP8

66603

22+23+

绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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DIP8

68900

IR

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IRS2308PBF价格

IRS2308PBF价格:¥10.0416品牌:International

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IRS2308PBF中文资料Alldatasheet PDF

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IRS2308PBF功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Drvr Hi Volt & Hi Speed RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IRS2308PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    100ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP