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IRS21864PBF	文件：469.59 Kbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2186/IRS21864 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard C 文件：469.59 Kbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21864PBF	文件：1.4653 Mbytes Page：27 Pages	High and Low Side Driver 文件：1.4653 Mbytes 页数：27 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRS21864PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRS21864SPBF	文件：469.59 Kbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2186/IRS21864 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard C 文件：469.59 Kbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
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PS21864-P	文件：645.05 Kbytes Page：2 Pages	Generation DIP and Mini-DIP-IPM 文件：645.05 Kbytes 页数：2 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

产品属性

产品编号：
IRS21864PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
22ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
14-DIP
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP

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