选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)MLPQ-34L(7x7) |
3022 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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INFINEONQFN48 |
6000 |
2024+ |
绝对全新原装,现货热卖 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Infineon Technologies48-VFQFN(34 引线)裸露焊盘 |
25987 |
23+ |
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英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
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深圳市骏创达科技有限公司10年
留言
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JST |
342488 |
2308+ |
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一级代理,原装正品,公司现货! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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Infineon Technologies48-VFQFN(34 引线)裸露焊盘 |
6000 |
21+ |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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InternationalRectifierICGATEDRIVERHV3PHASE48-M |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌QFN-48 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRMLPQ-48 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌48-VFQFN |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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Infineon(英飞凌)MLPQ7X734L |
499 |
2021+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
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IRQFN48 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon Technologies48MLPQ 34 Leads |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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InfineonQFN48 |
1637 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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IRQFN48 |
9 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IRQFN48 |
3000 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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Internationa48-MLPQ 34 引线(7x7) |
3216 |
22+ |
原装正品 价格优势 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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Infineon Technologies48-MLPQ |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)MLPQ34L(7x7) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
5093 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
IRS2336DMTRPBF采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRS2336DMTRPBF图片
IRS2336DMTRPBF价格
IRS2336DMTRPBF价格:¥25.1756品牌:International
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IRS2336DMTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRS2336DMTRPBF功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IRS2336DMTRPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
3 相
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
200mA,350mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
125ns,50ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-VFQFN(34 引线)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
48-MLPQ,34 引线(7x7)
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48MLPQ