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深圳市正纳电子有限公司

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InfineonDIP-8

200

21+

保证原装正品 深圳现货

深圳市华来深电子有限公司

11年 留言
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INFINEONDIP8

5515

23+

进口原装现货,假一罚十,价格优惠,

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRDIP8

115

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)PDIP-8

3022

23+

深耕行业12年,可提供技术支持。

迈思希姆半导体(江苏)有限公司

5年 留言
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InternationalRectifier8-DIP

11846

1818+

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRS2186PBF

Infineon Technologies8-DIP(0.300,7.62mm)

25676

23+

1+
:¥0.888

英飞凌电源管理芯片-原装正品

深圳市杰顺创科技有限公司

3年 留言
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Infineon/英飞凌PDIP8

6000

21+

原装现货正品

深圳市亿顺芯科技有限公司

5年 留言
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INFINEONDIP-8

57550

2022+

深圳市晴轩时代电子有限公司

6年 留言
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Infineon/英飞凌PDIP8

8800

21+

公司只作原装正品

深圳市君亿电子科技有限公司

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Infineon/英飞凌PDIP8

10000

21+

全新原装现货

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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Infineon Technologies8DIP

9000

23+

原装正品,支持实单

深圳市芯福林电子科技有限公司

2年 留言
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Infineon Technologies8DIP

13880

21+

公司只售原装,支持实单

深圳市华斯顿科技有限公司

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IORDIP8

33780

22+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳兆威电子有限公司

5年 留言
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InternationalRectifier8-DIP

90000

20+

全新原装正品/库存充足

深圳市威雅利发展有限公司

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    陈经理

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    深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019号华强广场A座12K

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IRDIP-8

8

1744+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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    深圳市福田区华强北华强北华丽装饰大厦二栋525

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IR8-DIP

8238

23+

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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Infineon/英飞凌PDIP8

6820

21+

只做原装,质量保证

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    夏小姐.李先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)

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IR8-DIP

50000

2023+

原装现货

深圳市振宏微科技有限公司

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    邓先生

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    深圳市华强北街道上步工业区305栋C02室

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Infineon/英飞凌PDIP8

25630

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原装正品

深圳市诺美思科技有限公司

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    Eva

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    深圳市福田区华强北街道深纺大厦B座1503

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Infineon Technologies8-PDIP

7500

22+/23+

原装进口公司现货假一赔百

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IRS2186PBF价格

IRS2186PBF价格:¥12.6611品牌:International

生产厂家品牌为International的IRS2186PBF多少钱,想知道IRS2186PBF价格是多少?参考价:¥12.6611。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRS2186PBF批发价格及采购报价,IRS2186PBF销售排行榜及行情走势,IRS2186PBF报价。

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IRS2186PBF功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr capbl of 4A & 4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IRS2186PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高压侧或低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    22ns,18ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP