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IRS21814MTRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：16-VFQFN 裸露焊盘，14 引线类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRS21814S	文件：872.38 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-ANDLOW-SIDEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRS21814S	文件：670.7 Kbytes Page：22 Pages	Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRS21814STR	文件：872.38 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-ANDLOW-SIDEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
DGD21814	文件：687.76 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO14	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DGD21814M	文件：577.59 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DGD21814M	文件：612.72 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguration -1.9ASource/2.3ASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLow-SideGateDriverandLogicSupply:10Vto20V -	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
IR21814	文件：370.01 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR21814	文件：445.59 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR21814	文件：364.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR21814	文件：264.99 Kbytes Page：14 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR21814PBF	文件：264.99 Kbytes Page：14 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR21814PBF	文件：364.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IR21814S	文件：370.01 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR21814S	文件：445.59 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IR21814SPBF	文件：364.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRS21814	文件：888.21 Kbytes Page：21 Pages	HIGH-ANDLOW-SIDEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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产品属性

产品编号：
IRS21814MTRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘，14 引线
供应商器件封装：
16-MLPQ（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRS21814MTRPBF	Infineon Technologies	23+	16-VFQFN 裸露焊盘,14 引线	27825	英飞凌电源管理芯片-原装正品	询价
深圳市昊创电子有限公司	IRS21814MTRPBF	Infineon/英飞凌	2021+		9450	原装现货。	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRS21814MTRPBF	Infineon(英飞凌)	23+	MLPQ-14L(4x4)	3022	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
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更多IRS21814MTRPBF供应商更新时间2024-4-20 10:12:00

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