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IRS2123STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
ISG2123	文件：348.23 Kbytes Page：2 Pages	Trench Field-Stop IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.68V@VGE=15V, IC=30A · High speed switching · Isolated package APPLICATIONS · Uninterrupted Power Supply · Solar Converters · Welding Converters · High Voltage Auxiliaries 文件：348.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
KUWT-2123-B	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：143.38 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
KUWT-2123-BSLASHQ	文件：143.38 Kbytes Page：5 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：143.38 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM

产品属性

产品编号：
IRS2123STRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
500mA，500mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
80ns，80ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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