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IRS2118PBF	文件：378.71 Kbytes Page：19 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IRS2117, IRS21171, and IRS2118 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pul 文件：378.71 Kbytes 页数：19 Pages	IRF	IRF
IRS2118PBF	文件：902.78 Kbytes Page：26 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IRS2117, IRS21171, and IRS2118 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pul 文件：902.78 Kbytes 页数：26 Pages	IRF	IRF
IRS2118PBF	文件：2.13203 Mbytes Page：26 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER 文件：2.13203 Mbytes 页数：26 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS2118PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRS2118PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
75ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

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更多IRS2118PBF供应商更新时间2025-10-4 8:01:00

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