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IRS2118S	文件：300 bytes Page：1 Pages	电平移位门极驱动 600 V High Side Driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 V to 20 V\n• Undervoltage lockout\n• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down\n• Outputs out of phase with inputs (IRS2118;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS2118PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS2118SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS2118STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.2 A
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink min：
0.421 A
Output Current Sink：
0.6 A
Channels：
1
Configuration：
High-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PDIP8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
200 ns
Turn On Propagation Delay：
125 ns
Turn Off Propagation Delay max：
180 ns
Turn Off Propagation Delay：
105 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
130 ns
Rise Time：
75 ns
Fall Time max：
65 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
8.6 V
UVLO Output On：
8.6 V

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更多IRS2118供应商更新时间2025-10-3 16:30:00

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