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IRLR110ATM	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRLR110PBF	文件：1.15599 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：1.15599 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLR110PBF	文件：2.09526 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.09526 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRLR110PBF	文件：1.31466 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.31466 Mbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRLR110ATM
功能描述：
MOSFET N-CH/LL/100V/4.7A/0.4OHM@VGS=5V/Substitute of IRLR110TM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRLR110ATM供应商更新时间2026-1-17 9:38:00

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