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IRLR120NTRPBF

IRTO-252

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深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRLR120NTRPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。

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IRLR120

IRLR120

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市煦洪科技有限公司

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IRLR120NTRPBF

Infineon/英飞凌原厂封装

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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IRLR120NTRPBF

IRN/A

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IRLR120NTRPBF

INFINEON/英飞凌TO252

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专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送

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IRLR120NTRPBF

IRTO-252

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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INFINEONTO-252

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INFINEON TECHNOLOGIES AGSMD

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Infineon(英飞凌)TO-252-2(DPAK)

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INFINOETO-252

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INFINEONTO-252

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Infineon(英飞凌)TO-252

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深圳市钰川电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO252

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原盘全标清仓好省钱全新原厂原装现货

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INFINEONTO-252

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深圳市讯顺达科技有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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全新原装公司现货热卖库存!数量:8000个,数据列表:标准包装 2,000 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET® 包装 带卷(TR) FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rd

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IRFR15N20DTRPBF IR 2014 6000 面议 TO-252(DPAK) IRFR5410TRPBF IR 2014 6000 面议 TO-252(DPAK) IRLR3110ZTRPBF IR 2014 6000 面议 TO-252(DPAK) IRFR220NTRPBF IR 2014 6000 面议 TO-252(DPAK) IRFR6215TRLPBF IR 2014 6000 面议 TO-252(DPAK) IRLR3915TRPBF IR 2014 6000 面议 TO-252(DPAK) IRFU024NPBF IR 2014

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IRLR120功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR120A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET

IRLR120ATF功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR120ATM功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR120NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Rail/Tube

IRLR120NPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR120NTR制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA

IRLR120NTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel

IRLR120NTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Tape and Reel

IRLR120NTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube