全新原装公司现货热卖库存！数量：8000个，数据列表：标准包装 2,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 带卷（TR）
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 185 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 440pF @ 25V
功率 - 最大值 48W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装 D-Pak
