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IRLR2703	文件：173.68 Kbytes Page：10 Pages	POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier
IRLR2703	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IRLR2703	文件：335.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRLR2703	文件：945.4 Kbytes Page：10 Pages	Logic-Level Gate Drive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2703PBF	文件：319.33 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownf	IRF International Rectifier
IRLR2703PBF	文件：319.33 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier
IRLR2703PBF_15	文件：319.33 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier
IRLR2703TRPBF	文件：319.33 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier

技术参数

OPN：
IRLR2703TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
45 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
65 mΩ
ID @25°C max：
23 A
QG typ @4.5V：
10 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

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