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|---|---|---|---|---|
IRLR024NTRL | Logic-Level Gate Drive Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are wel 文件：173.02 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
Logic-Level Gate Drive 文件：313.98 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.043609 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Advanced Process Technology 文件：313.98 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET POWER MOSFET 文件：745.11 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRLR024NTRL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-252 |
36800 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
D-PAK |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-252 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
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