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IRLR024NTRL规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Surface Mount (IRLR024N)
● Straight Lead (IRLU024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRLR024NTRL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2526+ |
原厂封装 |
12500 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
IR |
21+ |
TO252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
DPAK |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-252 |
8000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 |
