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IRLR024NTRL规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Surface Mount (IRLR024N)
● Straight Lead (IRLU024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRLR024NTRL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
DPAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
DPAK |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
36800 |
询价 | |||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
DPAK |
115000 |
3000个/卷一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |
