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IRLR014NTRPBF	文件：293.41 Kbytes Page：10 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014PBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014PBF	文件：1.12217 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014PBF	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014PBF	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014TR	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRLR014TRL	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRLR014TRLPBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014TRLPBF	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014TRLPBFA	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014TRPBF	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014TRPBF	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR014TRPBFA	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLU014	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLU014	文件：180.89 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLU014	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRLR014,SiHLR014) •Straightlead(IRLU014,SiHLU014) •Availableintapeandreel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRLR014NTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRLR014NTRL供应商更新时间2024-9-20 16:30:00

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