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IRLMS2002

HEXFET Power MOSFET

文件:95.26 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002

Ultra Low On-Resistance

文件:100.84 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002

采用 TSOP-6(Micro 6)封装的 20V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n ;

Infineon

英飞凌

IRLMS2002PBF

Ultra Low On-Resistance

文件:158.61 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:153.18 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002PBF_15

Ultra Low On-Resistance

文件:158.61 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002TR

Ultra Low On-Resistance

文件:100.84 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002TRPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:158.61 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLMS2002TRPBF

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:990.1 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • OPN:

    IRLMS2002TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TSOP6L

  • VDS max:

    20 V

  • RDS (on) @4.5V max:

    30 mΩ

  • ID @25°C max:

    6.5 A

  • QG typ @4.5V:

    15 nC

  • Special Features:

    Small Power

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    0.6 V

  • VGS(th) max:

    1.2 V

  • VGS(th):

    0.9 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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TSOP-6
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INFINEON/英飞凌原装特价IRLMS2002即刻询购立享优惠#长期有货
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更多IRLMS2002供应商 更新时间2025-10-8 9:05:00