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IRLMS2002TR	文件：100.84 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：100.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS2002TRPBF	文件：158.61 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：158.61 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS2002TRPBF	文件：990.1 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：990.1 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
JAN2002J	文件：98.49 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS DESCRIPTION The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in many military, aerospace, and industrial applications that require severe environments. All units feature open collector outputs with greater than 50V brea 文件：98.49 Kbytes 页数：7 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JAN2002J	文件：110.05 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS DESCRIPTION The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in many military, aerospace, and industrial applications that require severe environments. All units feature open collector outputs with greater than 50V brea 文件：110.05 Kbytes 页数：7 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JAN2002J	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS 文件：242.74 Kbytes 页数：7 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
IRLMS2002TR
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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