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IRLM220A

功率 MOSFET,N 沟道,A-FET,200 V,1.13 A,800 mΩ,SOT-223

N-channel A-FET 200 V, 1.13 A, 800 mΩ • Avalanche Rugged Technology\n• Rugged Gate Oxide Technology\n• Lower Input Capacitance\n• Improved Gate Charge\n• Extended Safe Operating Area\n• Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 200 V\n• Lower rDS(on) : 0.609 Ω (Typ.);

ONSEMI

安森美半导体

IRLM220A

Advanced Power MOSFET

文件:243.68 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

IRLR220A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:321.5 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRLR220ATF

Advvanced Power Mosfet

文件:223.24 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

IRLRU220A

Advanced Power MOSFET

文件:220.58 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    200

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    100

  • ID Max (A):

    1.13

  • PD Max (W):

    2

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    800

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    2.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    10.3

  • Ciss Typ (pF):

    330

  • Package Type:

    SOT-223-4/TO-261-4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FSC
10+
SOT-223
3300
原装
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ON/安森美
2025+
SOT-223-4TO-261-4
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SOT-223
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更多IRLM220A供应商 更新时间2025-11-10 11:43:00