IRLM220A中文资料功率 MOSFET，N 沟道，A-FET，200 V，1.13 A，800 mΩ，SOT-223数据手册ONSEMI规格书
IRLM220A规格书详情
描述 Description
N-channel A-FET 200 V, 1.13 A, 800 mΩ
特性 Features
• Avalanche Rugged Technology
• Rugged Gate Oxide Technology
• Lower Input Capacitance
• Improved Gate Charge
• Extended Safe Operating Area
• Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 200 V
• Lower rDS(on) : 0.609 Ω (Typ.)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications
技术参数
- 制造商编号
：IRLM220A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：100
- ID Max (A)
：1.13
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：800
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：2.8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10.3
- Ciss Typ (pF)
：330
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
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IR |
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SOT223 |
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21+ |
SOT-223 |
10000 |
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NA |
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1983 |
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ON |
24+ |
NA |
3000 |
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FAIRCHILDRCHILD |
2022+ |
SOT223 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-223 |
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ON/安森美 |
25+ |
SMD |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-223-4TO-261-4 |
986966 |
国产 |
询价 |
