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IRLM120A中文资料N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

IRLM120A

功能描述

N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 8:14:00

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IRLM120A规格书详情

特性 Features

•雪崩耐用技术
•坚固的门栅氧化层技术与较低的输入电容
•增加的栅极电荷
•增加安全工作区域范围
•更低的漏电流: 10 µA(最大值)@ VDS = 200 V
•更低的 RDS(ON): 0.609 Ω(典型值)

技术参数

  • 型号:

    IRLM120A

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    Advanced Power MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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SOT223
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