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IRLL2705TR	文件：162.74 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount 文件：162.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL2705TRPBF	文件：231.1 Kbytes Page：9 Pages	DYNAMIC DV/DT RATING 文件：231.1 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLL2705TRPBF	文件：964.18 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：964.18 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UC2705D	文件：298.57 Kbytes Page：11 Pages	High Speed Power Driver 文件：298.57 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
UC2705N	文件：298.57 Kbytes Page：11 Pages	High Speed Power Driver 文件：298.57 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
UC2705T	文件：298.57 Kbytes Page：11 Pages	High Speed Power Driver 文件：298.57 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
IRLL2705TR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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