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IRLI520NPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:1.0604 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

IRLI520NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.06504 Mbytes 页数:10 Pages

IRF

IRLI520NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.06504 Mbytes 页数:10 Pages

IRF

IRLI520G/ SiHLI520G

Power MOSFET

·Isolated Package\n·High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;     f = 60 Hz)\n·Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm;

Vishay

威世

IRLI520G

Power MOSFET

Vishay

威世

技术参数

  • Package :

    TO-220-3 FP

  • VDS max:

    100.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    180.0mΩ

  • RDS (on) max:

    180.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    260.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TC=100°C) max:

    5.4A

  • ID  max:

    5.4A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    7.7A

  • Ptot max:

    27.0W

  • QG :

    13.3nC 

  • Mounting :

    THT

  • Tj max:

    175.0°C

  • Qgd :

    6.7nC 

  • RthJC max:

    5.0K/W

  • VGS max:

    16.0V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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