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IRLD024	文件：1.59251 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combina 文件：1.59251 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024	文件：170.74 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • For Automatic Insertion • End Stackable • Logic-Level Gate Drive • 文件：170.74 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRLD024PBF	文件：1.59251 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combina 文件：1.59251 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024	文件：1.6983 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.6983 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024	文件：1.6983 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.6983 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024	文件：1.70331 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.70331 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024_10	文件：1.6983 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.6983 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024_17	文件：1.70331 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.70331 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024_V01	文件：835.57 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：835.57 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLD024PBF	文件：1.74167 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：1.74167 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

漏源电压（Vdss）：
60V
栅源极阈值电压（最大值）：
2V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
100 mΩ @ 1.5A
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
1.3W

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更多IRLD02供应商更新时间2025-12-19 9:04:00

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