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KBPC3502S	文件：66.76 Kbytes Page：4 Pages	35ASINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability ●DesignedforSavingMountingSpace ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC3502S	文件：49.02 Kbytes Page：3 Pages	15,25,35AIN-LINEBRIDGERECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability •DesignedforSavingMountingSpace •RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC3502T	文件：597.21 Kbytes Page：3 Pages	SinglePhaseSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
KBPC3502T	文件：333.78 Kbytes Page：3 Pages	SinglePhaseSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
KBPC3502T	文件：336.98 Kbytes Page：3 Pages	SinglePhaseSiliconBridgeRectifier	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
KBPC3502T/W	文件：662.31 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
KBPC3502W	文件：52.67 Kbytes Page：4 Pages	15,25,35AHIGHCURRENTBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedMetalCaseforMaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC3502W	文件：423.55 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER FEATURES Surgeoverloadratings-400Amperes MetalcaseMaximumHeatDissipation *Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
KBPC3502W	文件：153.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-BridgeRectifiers Silicon-Bridge-Rectifiers •Nominalcurrent35A •Alternatinginputvoltage35...1000V •PlasticcasewithalubottomIndex“P“ •Dimensions28.6x28.6x7.3[mm] •Weightapprox.“P“–17g •Compoundhas	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
KBPC3502W	文件：36.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
KBPC3502W	文件：231.39 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT35.0AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features •DiffusedJunction •LowReverseLeakageCurrent •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto400APeak •ElectricallyIsolatedMetalCaseforMaximum HeatDissipation •HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
KBPC3502W	文件：30.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-10/15/25/35/50Amperes FEATURES ●Surgeoverload-240~500Amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●MountingPosition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
KBPC3502W	文件：54.77 Kbytes Page：4 Pages	35ASINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability ●IdealforPrintedCircuitBoards ●DesignedforSavingMountingSpace ●ULRecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC3502W	文件：508.52 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS35to50Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
KBPC3502W	文件：78.8 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:35.0A FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto400Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202m	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KBPC3502W	文件：129.37 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE FEATURES ◾ULrecognizedfile#E149311 ◾Surgeoverloadrating-400amperesepeak ◾Lowforwardvoltagedrop ◾Solderablecooperleads.040diameter ◾Mountingposition:Any ◾Electricallyisolatedbase-1800Volts ◾MaterialsusedcarriesU/Lrecognized	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
KBPC3502W	文件：337.47 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Bridge-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
KBPC3502W	文件：581.31 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE:50to1000VFORWARDCURRENT:35A Features •Electricallyisolatedmetalcaseformaximumheatdissipation •Surgeoverloadratingsto500A •Lowpowerloss,highefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Casetoterminalisolationvoltage2500V •ULrecognizedfile#E	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
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详细参数

型号：
IRL3502STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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