抗辐射 MOSFET

IRHM7260SESCS R4 N 沟道 MOSFET 专为在空间应用中可靠运行而设计。其 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术和 QIRL 分类可确保高达 100krad(Si) TID 的电气性能。该 MOSFET 的额定电压为 200V，额定电流为 35A，可以处理高电压和高电流。低 RDS(on) 和栅极电荷可提高开关应用的性能，同时保留 MOSFET 的优势。

Infineon

英飞凌

TRANSISTOR N-CHANNEL

RAD-Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been characterized for both Tot

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IRF

Simple Drive Requirements

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IRF

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)

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IRF