TRANSISTOR N-CHANNEL

RAD-Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been characterized for both Tot

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IRF

Simple Drive Requirements

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IRF

抗辐射 MOSFET

IRHNA7260 R4 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，具有 200V 和 27A 容量。它采用密封 SMD-2 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为低功耗开关应用的理想选择，并且具有 MOSFET 的所有优点，例如电压控制和温度稳定性。

Infineon

英飞凌

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IRF

N-channel rad hard power MOSFETs

\n优势:;

Infineon

英飞凌