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IRGS10B60KD规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 型号：
IRGS10B60KD
- 功能描述：
IGBT 模块 600V 12A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA |
6000 |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | |||
IR |
23+ |
SOT263 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
1000 |
询价 | |||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2-Pak |
32322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263 |
5590 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
INFINEON |
TO-263 |
7562 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
询价 | |||
IR |
23+ |
NA |
339 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-263 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
