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Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 型号：
IRGR3B60KD2TRLP
- 功能描述：
IGBT 模块
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
4610 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
23+ |
D-PAK |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
7500 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
