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特性 Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 型号：
IRGR3B60KD2TRLP
- 功能描述：
IGBT 模块
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
13+ |
D-PAK |
21238 |
原装分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
D-Pak |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
8435 |
可订货 请确认 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
标准封装 |
474 |
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
